Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 5.5176 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S1M1000170J
DigiKey-Teilenr.	1655-S1M1000170JTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S1M1000170J
Beschreibung	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 5,8 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 500µA
Herst. SMC Diode Solutions	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 160 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3Ohm bei 2A, 20V