N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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S1M1000170D

DigiKey-Teilenr.
1655-S1M1000170D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S1M1000170D
Beschreibung
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,3Ohm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
160 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
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