Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92
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2N5401

DigiKey-Teilenr.
5399-2N5401-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N5401
Beschreibung
150V 625MW 60@10MA,5V 600MA PNP
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 nA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
60 bei 10mA, 5V
Verpackung
Tasche
Leistung - Max.
625 mW
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
300MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150 V
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 5mA, 50mA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Tasche
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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