Name: SP8M6HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8M6HZGTBTR-ND
Price: 2.0933 EUR
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SP8M6HZGTB
cms-digikey-product-number	846-SP8M6HZGTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-SP8M6HZGTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-SP8M6HZGTBDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	SP8M6HZGTB
cms-description	MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
cms-standard-lead-time	21 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	MOSFETs - Arrays 30V 5 A (Ta), 3,5 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Ta), 3,5 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	51mOhm bei 5A, 10V, 90mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3,9nC bei 5V, 5,5nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	230pF bei 10V, 490pF bei 10V
Leistung - Max.	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP
Basis-Produktnummer	SP8M6