N-Kanal 1200 V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N
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N-Kanal 1200 V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
AECQ SIC FET’s | Datasheet Preview

SCT3022KLHRC11

DigiKey-Teilenr.
SCT3022KLHRC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCT3022KLHRC11
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
95 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28,6mOhm bei 36A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 18,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
178 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2879 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
427W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SCT3022
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