Name: RZF013P01TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZF013P01TLTR-ND
Price: 0.5808 EUR
Availability: InStock

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RZF013P01TL
DigiKey-Teilenr.	RZF013P01TLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RZF013P01TLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RZF013P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RZF013P01TL
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 1,3 A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenmontage TUMT3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RZF013P01TL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	260mOhm bei 1,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	290 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	800mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TUMT3
Gehäuse / Hülle	3-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	RZF013

Fragen und Antworten zum Produkt

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