RRQ045P03TR Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RRQ045P03TR
DigiKey-Teilenr.	RRQ045P03TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RRQ045P03CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RRQ045P03DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RRQ045P03TR
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 4,5 A (Ta) 600mW (Ta) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RRQ045P03TR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	600mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT6 (SC-95)
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	RRQ045