Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 1.573 EUR
Availability: InStock

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RQ6E085BNTCR
DigiKey-Teilenr.	RQ6E085BNTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ6E085BNTCR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 8,5 A (Tc) 1,25W (Tc) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ6E085BNTCR Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32.7 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TSMT6 (SC-95)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,4mOhm bei 8,5A, 10V	Basis-Produktnummer RQ6E085