Name: RJ1P10BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BATTL1TR-ND
Price: 6.5098 EUR
Availability: OutOfStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJ1P10BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RJ1P10BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RJ1P10BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RJ1P10BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RJ1P10BATTL1
Beschreibung	PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 105 A (Tc) 201W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 385 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 16600 pF @ 50 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 201W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 105 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,9mOhm bei 50A, 10V