IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 133 W Durchkontaktierung TO-262
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RGT30NS65DGC9

DigiKey-Teilenr.
RGT30NS65DGC9-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGT30NS65DGC9
Beschreibung
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 133 W Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
45 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 15A
Leistung - Max.
133 W
Schaltenergie
-
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
32 nC
Td (on/off) bei 25°C
18ns/64ns
Testbedingung
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
55 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Basis-Produktnummer
RGT30
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