Name: RF9L120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9L120BJFRATCRTR-ND
Price: 1.694 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RF9L120BJFRATCR
DigiKey-Teilenr.	846-RF9L120BJFRATCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RF9L120BJFRATCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RF9L120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RF9L120BJFRATCR
Beschreibung	PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 12 A (Tc) 23W (Tc) Oberflächenmontage DFN2020Y7LSAA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15.7 nC @ 10 V
Herst. Rohm Semiconductor	Vgs (Max.) +5V, -20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 710 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 23W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten DFN2020Y7LSAA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 106mOhm bei 3A, 10V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 273µA