N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6011ENX

DigiKey-Teilenr.
R6011ENX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6011ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6011ENX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
390mOhm bei 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
670 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6011
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 373
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.
Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,47000 €3,47 €
102,27600 €22,76 €
1001,60050 €160,05 €
5001,31208 €656,04 €
1.0001,21944 €1.219,44 €
2.0001,17580 €2.351,60 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:3,47000 €
Stückpreis mit MwSt.:4,19870 €