Name: QS6J11TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS6J11TR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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QS6J11TR
DigiKey-Teilenr.	QS6J11TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) QS6J11CT-ND - Gurtabschnitt (CT) QS6J11DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	QS6J11TR
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 2A 600mW Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	QS6J11TR Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Hersteller Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,5nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 770pF bei 6V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 600mW
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V	Gehäusetyp vom Lieferanten TSMT6 (SC-95)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2A	Basis-Produktnummer QS6J11
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 2A, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)