Name: QH8ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8ME5TCRTR-ND
Price: 1.2584 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QH8ME5TCR
DigiKey-Teilenr.	846-QH8ME5TCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-QH8ME5TCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-QH8ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	QH8ME5TCR
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 2 A (Ta) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	202mOhm bei 2A, 10V, 270mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2,8nC bei 10V, 19,7nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	90pF bei 50V, 590pF bei 50V
Leistung - Max.	1,1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8