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Rohm Semiconductor
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Datenblatt
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassisbefestigung Modul
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassisbefestigung Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKey-Teilenr.
846-BSM600D12P3G001-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSM600D12P3G001
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 182mA
Hersteller
Rohm Semiconductor
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
31000pF bei 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
2450W (Tc)
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Gehäuse / Hülle
Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
600 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
BSM600D12P4G103Rohm Semiconductor5846-BSM600D12P4G103-ND1.029,05000 €Vom Hersteller empfohlen
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