IRFI4110GPBF Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

IRFI4110GPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 0

Stückpreis : 3,10000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFI4110GPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFI4110GPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFI4110GPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 72 A (Tc) 61W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 290 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9540 pF @ 50 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 61W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB voller Pack
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 72 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFI4110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,5mOhm bei 43A, 10V