N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
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FDB024N04AL7

DigiKey-Teilenr.
2156-FDB024N04AL7-ND
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
FDB024N04AL7
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Fairchild Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
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