Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Oberflächenmontage TO-236AB
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BC859B,215

DigiKey-Teilenr.
2156-BC859B,215-954-ND
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer
BC859B,215
Beschreibung
TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Oberflächenmontage TO-236AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
650mV bei 5mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
15 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
220 bei 2mA, 5V
Leistung - Max.
250 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-236AB
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