Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.203 EUR
Availability: InStock

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TP65H150G4LSG
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H150G4LSG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H150G4LSG
Beschreibung	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP65H150G4LSG Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 500µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 598 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 3-PQFN (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 3-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 8,5A, 10V	Basis-Produktnummer TP65H150