Name: TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4RS-TR-ND
Price: 8.7725 EUR
Availability: InStock

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TP65H070G4RS-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H070G4RS-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H070G4RS-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H070G4RS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H070G4RS-TR
Beschreibung	650 V 29 A GAN FET
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenmontage TOLT
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 85mOhm bei 18A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 700µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 638 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TOLT
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 16-poliges PowerSOP-Modul