Name: TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: TP65H050WS-ND
Price: 20.6547 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H050WS
DigiKey-Teilenr.	TP65H050WS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H050WS
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 700µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 119W (Tc)
Technologie GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 22A, 10V	Basis-Produktnummer TP65H050

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 358

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	17,07000 €	17,07 €
30	10,66167 €	319,85 €
120	9,26092 €	1.111,31 €
510	8,84959 €	4.513,29 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.