Name: TP65H035G4QS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4QSTR-ND
Price: 20.5821 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H035G4QS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H035G4QSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H035G4QSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H035G4QSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H035G4QS
Beschreibung	650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage TOLL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41 mOhm bei 30A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 46,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TOLL
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN