IGBT Schlitz 600 V 75 A 200 W Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJH60D5BDPQ-E0#T2

DigiKey-Teilenr.
RJH60D5BDPQ-E0#T2-ND
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Beschreibung
IGBT TRENCH 600V 75A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Schlitz 600 V 75 A 200 W Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RJH60D5BDPQ-E0#T2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
IGBT-Typ
Schlitz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
75 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,2V bei 15V, 37A
Leistung - Max.
200 W
Schaltenergie
400µJ (Ein), 810µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
78 nC
Td (on/off) bei 25°C
50ns/130ns
Testbedingung
300V, 37A, 5Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
25 ns
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Basis-Produktnummer
RJH60D5
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