RJH1CF4RDPQ-80#T2 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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IGBT 1200 V 40 A 156.2 W Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJH1CF4RDPQ-80#T2

DigiKey-Teilenr.
RJH1CF4RDPQ-80#T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RJH1CF4RDPQ-80#T2
Beschreibung
IGBT 1200V 40A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 1200 V 40 A 156.2 W Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RJH1CF4RDPQ-80#T2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Leistung - Max.
156.2 W
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Eingangstyp
Standard
Verpackung
Stange
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Status der Komponente
Obsolet
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
40 A
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,5V bei 15V, 20A
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOK20B135D1Alpha & Omega Semiconductor Inc.156785-1687-5-ND5,27000 ۀhnlich
GT40QR21(STA1,E,DToshiba Semiconductor and Storage21264-GT40QR21(STA1ED-ND4,92000 ۀhnlich
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