Name: N0400P-ZK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-N0400P-ZK-E1-AYTR-ND
Price: 2.178 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

N0400P-ZK-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-N0400P-ZK-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-N0400P-ZK-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-N0400P-ZK-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	N0400P-ZK-E1-AY
Beschreibung	ABU / MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 15 A (Tc) 1W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	N0400P-ZK-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63