2SK1317-E Renesas Electronics Corporation | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SK1317-E
DigiKey-Teilenr.	2SK1317-E-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	2SK1317-E
Beschreibung	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1500 V 2,5 A (Ta) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SK1317-E Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12Ohm bei 2A, 15V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 990 pF @ 10 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,5 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V	Basis-Produktnummer 2SK1317