Name: SMUN5211DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: SMUN5211DW1T1GOSTR-ND
Price: 0.3025 EUR
Availability: InStock

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SMUN5211DW1T1G
DigiKey-Teilenr.	SMUN5211DW1T1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SMUN5211DW1T1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SMUN5211DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	SMUN5211DW1T1G
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 187mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SMUN5211DW1T1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 300µA, 10mA
Hersteller onsemi	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 187mW
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Transistor-Typ 2 NPN - vorgespannt (zweif.)	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V	Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 10kOhm	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhm	Basis-Produktnummer MUN5211
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 35 bei 5mA, 10V