Name: SBC847BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: SBC847BPDW1T3GOSTR-ND
Price: 0.242 EUR
Availability: InStock

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SBC847BPDW1T3G
DigiKey-Teilenr.	SBC847BPDW1T3GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SBC847BPDW1T3GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SBC847BPDW1T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	SBC847BPDW1T3G
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 1 NPN, 1 PNP 45V 100mA 100MHz 380mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SBC847BPDW1T3G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays	Leistung - Max. 380mW
Hersteller onsemi	Frequenz - Übergang 100MHz
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V	Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 600mV bei 5mA, 100mA / 650mV bei 5mA, 100mA	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 15 nA (ICBO)	Basis-Produktnummer SBC847
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 200 bei 2mA, 5V

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