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RFD3055LE

DigiKey-Teilenr.
RFD3055LE-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RFD3055LE
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
107mOhm bei 8A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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