MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400A (Tj) 1000W (Tj) Durchkontaktierung AHPM15-CDE
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NVVR26A120M1WSB

DigiKey-Teilenr.
5556-NVVR26A120M1WSB-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NVVR26A120M1WSB
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400A (Tj) 1000W (Tj) Durchkontaktierung AHPM15-CDE
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1750nC bei 20V
Hersteller
onsemi
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
31700pF bei 800V
Verpackung
Stange
Leistung - Max.
1000W (Tj)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Klasse
Automobiltechnik
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Qualifizierung
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400A (Tj)
Gehäuse / Hülle
15-poliges PowerDIP-Modul (2,441", 62,00mm)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,6mOhm bei 400A, 20V
Gehäusetyp vom Lieferanten
AHPM15-CDE
Vgs(th) (max.) bei Id
3,2V bei 150mA
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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