Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 3.8236 EUR
Availability: InStock

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NVD5117PLT4G-VF01
DigiKey-Teilenr.	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVD5117PLT4G-VF01
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 61 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,1W (Ta), 118W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	NVD5117