Name: NTLJS17D0P03P8ZTAG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS17D0P03P8ZTAGOSTR-ND
Price: 1.1737 EUR
Availability: InStock

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NTLJS17D0P03P8ZTAG
DigiKey-Teilenr.	NTLJS17D0P03P8ZTAGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTLJS17D0P03P8ZTAGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTLJS17D0P03P8ZTAGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTLJS17D0P03P8ZTAG
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 7 A (Ta) 860mW (Ta) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTLJS17D0P03P8ZTAG Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±25V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 15 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 860mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-PQFN (2x2)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 6-PowerWDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,3mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer NTLJS17