Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 3.2428 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NTTFS1D2N02P1E
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS1D2N02P1E
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFS1D2N02P1E Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 934µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +16V, -12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4040 pF @ 13 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 820mW (Ta), 52W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23A (Ta), 180A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (3,3x3,3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1mOhm bei 38A, 10V	Basis-Produktnummer NTTFS1