Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 7.9255 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMTSC4D2N10GTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTSC4D2N10GTXG
Beschreibung	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3,9W (Ta), 267W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-TDFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 450µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 159 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10450 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,9W (Ta), 267W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 178A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TDFNW (8,3x8,4)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2mOhm bei 88A, 10V