Name: NTLJF3117PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJF3117PT1GOSTR-ND
Price: 0.847 EUR
Availability: InStock

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NTLJF3117PT1G
DigiKey-Teilenr.	NTLJF3117PT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTLJF3117PT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTLJF3117PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTLJF3117PT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 2,3 A (Ta) 710mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WDFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTLJF3117PT1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Serie µCool™	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 531 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (isoliert)
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 710mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-WDFN (2x2)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 6-WDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 2A, 4,5V	Basis-Produktnummer NTLJF3117