N-Kanal 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Durchkontaktierung TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Durchkontaktierung TO-247-3
TO-247-3

NTHL1000N170M1

DigiKey-Teilenr.
5556-NTHL1000N170M1-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTHL1000N170M1
Beschreibung
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,43Ohm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 640µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
150 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
48W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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