N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage 8-HPSOF
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NTBL032N065M3S

DigiKey-Teilenr.
488-NTBL032N065M3S-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTBL032N065M3S
Beschreibung
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage 8-HPSOF
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
44mOhm bei 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1396 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HPSOF
Gehäuse / Hülle
8-PowerSFN
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