Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
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NJVMJD112G

DigiKey-Teilenr.
NJVMJD112G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NJVMJD112G
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 bei 2A, 3V
Leistung - Max.
1.75 W
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
NJVMJD112
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