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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN + Diode (isoliert) 350 V 15 A 35MHz 230 W Durchkontaktierung TO-264-5
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NJL4281DG

DigiKey-Teilenr.
NJL4281DG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NJL4281DG
Beschreibung
TRANS NPN 350V 15A TO-264
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN + Diode (isoliert) 350 V 15 A 35MHz 230 W Durchkontaktierung TO-264-5
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 800mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 5A, 5V
Leistung - Max.
230 W
Frequenz - Übergang
35MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-264-5
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264-5
Basis-Produktnummer
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