KSC1009GBU onsemi | Einzelne bipolare transistoren

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

KSC1009GBU
DigiKey-Teilenr.	KSC1009GBU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	KSC1009GBU
Beschreibung	TRANS NPN 140V 0.7A TO-92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 140 V 700 mA 50MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	KSC1009GBU Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 200 bei 50mA, 2V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 800 mW
Verpackung Lose im Beutel	Frequenz - Übergang 50MHz
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700 mA	Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 140 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 700mV bei 20mA, 200mA	Basis-Produktnummer KSC1009
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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Nicht stornierbar / keine Rückgabe

KSC1009GBU