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Datenblatt
N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HUF75639P3

DigiKey-Teilenr.
HUF75639P3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HUF75639P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 56 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
HUF75639P3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 56A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (21)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT2916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT2916L-ND0,00000 ۀhnlich
DMNH10H028SCTDiodes Incorporated68DMNH10H028SCTDI-5-ND1,89000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,80000 €2,80 €
501,40540 €70,27 €
1001,26960 €126,96 €
5001,03144 €515,72 €
1.0000,95493 €954,93 €
2.0000,89061 €1.781,22 €
5.0000,88698 €4.434,90 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,80000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,38800 €