N-Kanal 55 V 60 A (Tc) 145W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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HUF75332P3

DigiKey-Teilenr.
HUF75332P3FS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
HUF75332P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 60 A (Tc) 145W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
85 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
145W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19mOhm bei 60A, 10V
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Dokumente und Medien
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF3205PBFInfineon Technologies0IRF3205PBF-ND2,92000 ۀhnlich
IRFZ14PBFVishay Siliconix47.809IRFZ14PBF-ND2,43000 ۀhnlich
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STP45NF06STMicroelectronics1.564497-3189-5-ND2,16000 ۀhnlich
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