Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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HGTD1N120BNS9A
DigiKey-Teilenr.	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Gurtabschnitt (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	HGTD1N120BNS9A
Beschreibung	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	HGTD1N120BNS9A Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Schaltenergie 70µJ (Ein), 90µJ (Aus)
Hersteller onsemi	Eingangstyp Standard
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Gate-Ladung 14 nC
Status der Komponente Aktiv	Td (on/off) bei 25°C 15ns/67ns
IGBT-Typ NPT	Testbedingung 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200 V	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.3 A	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 6 A	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,9V bei 15V, 1A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Leistung - Max. 60 W	Basis-Produktnummer HGTD1N120