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NVBG150N65S3F

DigiKey-Teilenr.
488-NVBG150N65S3F-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVBG150N65S3F
Beschreibung
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 192W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK-7
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 540µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2170 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
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