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FQP19N20C | |
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DigiKey-Teilenr. | FQP19N20C-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQP19N20C |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 19 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1080 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 139W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 170mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | 1,90000 € | Ähnlich |
| STP19NF20 | STMicroelectronics | 1.491 | 497-7514-5-ND | 1,71000 € | Ähnlich |



