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FQP19N20C

DigiKey-Teilenr.
FQP19N20C-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQP19N20C
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 19 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1080 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
139W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF200B211Infineon Technologies108IRF200B211-ND1,90000 ۀhnlich
STP19NF20STMicroelectronics1.491497-7514-5-ND1,71000 ۀhnlich
Obsolet
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