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FQP19N20 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FQP19N20FS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQP19N20 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 19,4 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQP19N20 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 140W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 9,7A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NPBF | Infineon Technologies | 27.816 | IRF640NPBF-ND | 1,62000 € | Ähnlich |
| IRF640PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF640PBF-ND | 3,17000 € | Ähnlich |
| PJP18N20_T0_00001 | Panjit International Inc. | 0 | 3757-PJP18N20_T0_00001-ND | 0,50210 € | Ähnlich |
| STP19NF20 | STMicroelectronics | 1.491 | 497-7514-5-ND | 1,71000 € | Ähnlich |
| STP20NF20 | STMicroelectronics | 1.019 | 497-5812-5-ND | 1,96000 € | Ähnlich |





