Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 1.7424 EUR
Availability: InStock

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FQD19N10LTM
DigiKey-Teilenr.	FQD19N10LTMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQD19N10LTMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD19N10LTM
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 15,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 870 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V	Basis-Produktnummer FQD19N10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 7,8A, 10V