N-Kanal 500 V 18 A (Tc) 235W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FDP18N50

DigiKey-Teilenr.
FDP18N50-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP18N50
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 18 A (Tc) 235W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2860 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
235W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
265mOhm bei 9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP50R250CPXKSA1Infineon Technologies393448-IPP50R250CPXKSA1-ND2,94000 ۀhnlich
IXFP26N50P3IXYS150IXFP26N50P3-ND10,19000 ۀhnlich
SIHP15N50E-GE3Vishay Siliconix11.346SIHP15N50E-GE3-ND2,69000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,38000 €3,38 €
501,71540 €85,77 €
1001,55490 €155,49 €
5001,27344 €636,72 €
1.0001,18303 €1.183,03 €
2.0001,13609 €2.272,18 €
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