Direkter Ersatz
Ähnlich



FDP027N08B | |
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DigiKey-Teilenr. | FDP027N08B-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP027N08B |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 246W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP027N08B Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 2,7mOhm bei 100A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 178 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 13530 pF @ 40 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 246W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |



