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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FDI150N10 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDI150N10OS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDI150N10 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDI150N10 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 16mOhm bei 49A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4760 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-262 (I2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 518
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,13000 € | 3,13 € |
| 50 | 1,58240 € | 79,12 € |
| 100 | 1,43210 € | 143,21 € |
| 500 | 1,16870 € | 584,35 € |
| 1.000 | 1,08407 € | 1.084,07 € |
| 2.000 | 1,02595 € | 2.051,90 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,13000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,78730 € |
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